Характерне для Силіцію координаційне число "чотири" дозволяє припустити існування широкого кола гіпотетичних метастабільних алотропних модифікацій цього елемента. Багато з таких гіпотетичних структур відрізняються енергією, лише незначно більшою, ніж енергія алмазоподобної алотропної форми Силіцію, багато з них стійкі при високому тиску, а чотири - динамічно стабільні в м'яких умовах. У 2013 Тімоті Стробель (Timothy Strobel) з колегами відкрив натрій силіцид Na4Si24. У новій роботі цієї ж дослідницької групи показано, що нагрівання Na4Si24 при 400 оK у вакуумі дозволяє видалити всі атоми Натрію і отримати нову, орторомбічну алотропну модифікацію Силіцію. Результати розрахунків та експериментального дослідження дозволяють зробити висновок про те, що отримана форма Силіцію стійка до 750 оK і 10 ГПа, а також характеризується забороненою енергетичною зоною з прямими переходами (величина енергетичного зазору дорівнює 1,3 еВ), що робить новий матеріал ідеальним для застосування в фотогальванічних пристроях. (Duck Young Kim et al. Nature Materials (Letters), 2014, published online: DOI:10.1038/nmat4140)
Характерне для Силіцію координаційне число "чотири" дозволяє припустити існування широкого кола гіпотетичних метастабільних алотропних модифікацій цього елемента. Багато з таких гіпотетичних структур відрізняються енергією, лише незначно більшою, ніж енергія алмазоподобної алотропної форми Силіцію, багато з них стійкі при високому тиску, а чотири - динамічно стабільні в м'яких умовах. У 2013 Тімоті Стробель (Timothy Strobel) з колегами відкрив натрій силіцид Na4Si24. У новій роботі цієї ж дослідницької групи показано, що нагрівання Na4Si24 при 400 оK у вакуумі дозволяє видалити всі атоми Натрію і отримати нову, орторомбічну алотропну модифікацію Силіцію. Результати розрахунків та експериментального дослідження дозволяють зробити висновок про те, що отримана форма Силіцію стійка до 750 оK і 10 ГПа, а також характеризується забороненою енергетичною зоною з прямими переходами (величина енергетичного зазору дорівнює 1,3 еВ), що робить новий матеріал ідеальним для застосування в фотогальванічних пристроях. (